化學氣相沉積爐可用于以碳氫氣體為碳源的復合材料的化學氣相沉積。其中CVD氣相沉積爐是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術開始是作為涂層的手段而開發的，但目前，不只應用于耐熱物質的涂層，而且應用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特征的技術領域。
CVD氣相沉積爐的設備特點在于：(1)在低溫下合成高熔點物質;(2)析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種;(3)不僅可以在基片上進行涂層，而且可以在粉體表面涂層，特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。
