氣相沉積爐是利用中頻感應(yīng)加熱的高溫?zé)Y(jié)設(shè)備，氣相沉積爐CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應(yīng)，例如，金屬鹵化物、有機(jī)金屬、碳?xì)浠衔锏鹊臒岱纸猓瑲溥€原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以析出金屬、氧化物、碳化物等無機(jī)材料的方法。這種技術(shù)較初是作為涂層的手段而開發(fā)的，但目前，不只應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂層，而且應(yīng)用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等，是一個頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域。

氣相沉積爐技術(shù)特征在于：(1)高熔點物質(zhì)能夠在低溫下合成;(2)析出物質(zhì)的形態(tài)在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種;(3)不僅可以在基片上進(jìn)行涂層，而且可以在粉體表面涂層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質(zhì)，在節(jié)能方面做出了貢獻(xiàn)，作為一種新技術(shù)是大有前途的。